一、基础信息
品牌：onsemi（安森美，原仙童）
器件类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：DPAK-3 / TO-252-3（贴片）
完整料号：NVD5C632NLT4G；基础型号 NVD5C632NL
后缀释义：T4G = 卷带包装、无铅环保
认证：AEC-Q101 汽车级，支持 PPAP
载带规格：2500 pcs / 盘
二、核心电气参数（25℃）
参数 规格
V₍DSS₎ 漏源耐压 60 V
Iᴰ 连续漏极电流 29 A（Ta 环境）；155 A（Tc 壳温）
R₍DS(on)₎ Max 2.5 mΩ @ Vgs=10V, Id=50A
Vgs 范围 ±20 V
Vgs(th) 典型 2.1 V
Qg 总栅电荷 78 nC（10V 驱动）
Pd 功耗 4 W（Ta）；115 W（Tc）
脉冲电流 IDM 900 A
工作结温 -55 ~ +175 ℃
MSL 等级 MSL1（无限期防潮）
三、关键特点
1.超低导通电阻，大电流能力；
2.汽车级 AEC-Q101，适合车载负载；
3.内置体二极管；100%_雪崩能量测试；
4.DPAK 散热优于 SOT-223，适合电机驱动、电源开关。
四、典型应用
·汽车 HVAC 鼓风机、水泵、ABS 泵驱动
·高低侧开关、车载 DC-DC
·大功率低压电机驱动、负载开关
