主要特性
低失调电压
典型值：50μV（最大值 150μV），无需外部调零即可实现高精度放大。
低失调漂移：0.5μV/°C（最大值），确保温度变化时性能稳定。
低噪声性能
输入电压噪声密度：9nV/√Hz（1kHz 时），适合微弱信号放大。
轨到轨输入 / 输出
输入共模电压范围可扩展至电源轨外 ±0.3V，输出摆幅可接近电源轨（通常在 10mV 以内），最大化动态范围。
低功耗
单通道静态电流：600μA（典型值），适合电池供电或便携式设备。
宽电源范围
单电源：2.7V 至 5.5V
双电源：±1.35V 至 ±2.75V
支持多种电源配置，增强灵活性。
高增益带宽积
1.1MHz（典型值），兼顾带宽与稳定性。
单位增益稳定
可在增益≥1 的条件下稳定工作，简化设计。
技术参数
输入偏置电流：1pA（典型值，JFET 输入级）
共模抑制比（CMRR）：110dB（典型值）
电源抑制比（PSRR）：110dB（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 + 125°C
封装形式：8 引脚 SOIC（ARTZ 后缀）或 8 引脚 MSOP（ARZ 后缀）
通道数：单通道（AD8605），双通道版本为 AD8606，四通道版本为 AD8608。
应用领域
传感器信号调理：如压力传感器、应变计、温度传感器等微弱信号的放大。
医疗设备：心电图（ECG）、血糖仪、便携式诊断设备。
电池供电系统：如物联网（IoT）设备、可穿戴设备。
测试与测量仪器：数据采集系统、精密仪表。
工业控制：过程控制、自动化系统中的信号处理。
